Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S4J R7G
Online-Anfrage
Deutsch
4964577S4J R7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4J R7G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
850+
$0.169
1700+
$0.153
2550+
$0.14
5950+
$0.131
21250+
$0.123
42500+
$0.113
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    S4J R7G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S4J R7GTR
    S4J R7GTR-ND
    S4JR7GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
NUR460/L04,112

NUR460/L04,112

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
DLN10C-BT

DLN10C-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
VS-305U250

VS-305U250

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S4J V6G

S4J V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RL257GP-TP

RL257GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5A 1000V R3

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
S4J M6G

S4J M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
FDH333TR

FDH333TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RBK84540XXOO

RBK84540XXOO

Beschreibung: RECTIFIER DISC RBK

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
SS1H20LW RVG

SS1H20LW RVG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SBL1660

SBL1660

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
HS5J V6G

HS5J V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SF1604PT C0G

SF1604PT C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 16A TO247AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S4J V7G

S4J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SR203HB0G

SR203HB0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1MDF-13

RS1MDF-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SS19LHRTG

SS19LHRTG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RM 10AV

RM 10AV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
SD103A-TR

SD103A-TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RMPG06JHE3/54

RMPG06JHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FR105G R1G

FR105G R1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden