S1JLS RVG

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Spezifikation

Artikelnummer

S1JLS RVG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

S1JLS RVG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.2A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

SOD-123HE
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOD-123H
Andere Namen

S1JLS RVGCT
S1JLS RVGCT-ND
S1JLSRVGCT
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount SOD-123HE
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

1.2A
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "S1JLS RVG" -Einziper.

S1JLHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

S1JLS RVG

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