S1JL RTG

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Spezifikation

Artikelnummer

S1JL RTG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

S1JL RTG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

Sub SMA
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

1.8µs
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-219AB
Andere Namen

S1JL RTG-ND
S1JLRTG
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S1JL RTG" -Einziper.

S1JLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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