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2435771S12JC R7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12JC R7G

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  • Artikelnummer
    S12JC R7G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 12A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S12JC R7GCT
    S12JC R7GCT-ND
    S12JCR7GCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    12A
  • Kapazität @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12GC V6G

S12GC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12JCHM6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

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S12JC M6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12GR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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S12JR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

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S12KC M6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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S12JC V6G

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S12J

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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S12KC V7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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S12G

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S12KC V6G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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S12GCHR7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12JCHR7G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

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S12K

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

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S12GC V7G

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S12GCHM6G

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S12GC R7G

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S12KC R7G

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S12GC M6G

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