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4455279RS1JLS RVG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JLS RVG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1JLS RVG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1.2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123HE
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    300ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123H
  • Andere Namen
    RS1JLS RVGCT
    RS1JLS RVGCT-ND
    RS1JLSRVGCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount SOD-123HE
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1.2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
RS1JLHRHG

RS1JLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K-13

RS1K-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS1JLHR3G

RS1JLHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K-E3/5AT

RS1K-E3/5AT

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHRTG

RS1JLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLSHRVG

RS1JLSHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K

RS1K

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RS1JLW RVG

RS1JLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHRUG

RS1JLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLWHRVG

RS1JLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K-13-F

RS1K-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RS1K R3G

RS1K R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHRVG

RS1JLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JLHRFG

RS1JLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1JTR

RS1JTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RS1JLHRQG

RS1JLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1K M2G

RS1K M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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