RS1JL R3G

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Spezifikation

Artikelnummer

RS1JL R3G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RS1JL R3G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

Sub SMA
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

250ns
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

DO-219AB
Andere Namen

RS1JL R3GCT
RS1JL R3GCT-ND
RS1JLR3GCT
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

25 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

800mA
Kapazität @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "RS1JL R3G" -Einziper.

RS1JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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