920224

MMBT3904 RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

MMBT3904 RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.2A, 100A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MMBT3904 RFG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

MMBT3904 RFGTR
MMBT3904 RFGTR-ND
MMBT3904RFGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 10mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)

50nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

200mA

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Das Folgende sind "MMBT3904 RFG" -Einziper.

MMBT3904-7-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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MMBT3904 RFG

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