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1413202MMBD3004 RFG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

MMBD3004 RFG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MMBD3004 RFG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 350V 225MA SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    350V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    MMBD3004 RFG-ND
    MMBD3004RFG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 350V 225mA Surface Mount SOT-23
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 350V
  • Strom - Richt (Io)
    225mA
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 1V, 1MHz
IS49NLS18320-33BI

IS49NLS18320-33BI

Beschreibung: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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