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5020692HS1JL RUG-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

HS1JL RUG

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    HS1JL RUG
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sub SMA
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-219AB
  • Andere Namen
    HS1JL RUG-ND
    HS1JLRUG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
HS1KL MQG

HS1KL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HS1KL R3G

HS1KL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HS1K M2G

HS1K M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS1J R3G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HS1JL RTG

HS1JL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

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HS1JL RHG

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HS1JL R3G

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HS1JL MTG

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HS1JL RQG

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HS1JL RFG

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HS1JL MQG

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HS1KL RHG

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HS1JL RVG

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HS1KL MHG

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HS1KL RQG

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HS1JL M2G

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HS1JLW RVG

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

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HS1KL MTG

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HS1JL MHG

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HS1K R3G

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