HS1GLW RVG

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Spezifikation

Artikelnummer

HS1GLW RVG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HS1GLW RVG.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

400V
Supplier Device-Gehäuse

SOD123W
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

50ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOD-123W
Andere Namen

HS1GLW RVGTR
HS1GLW RVGTR-ND
HS1GLWRVGTR
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 400V 1A Surface Mount SOD123W
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1µA @ 400V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

16pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "HS1GLW RVG" -Einziper.

HS1JL RQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

HS1GLW RVG

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