HS1F M2G

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Spezifikation

Artikelnummer

HS1F M2G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HS1F M2G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

300V
Supplier Device-Gehäuse

DO-214AC (SMA)
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

50ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-214AC, SMA
Andere Namen

HS1F M2G-ND
HS1FM2G
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 300V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 300V
Strom - Richt (Io)

1A
Kapazität @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "HS1F M2G" -Einziper.

HS1DL RTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

HS1F M2G

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