HERAF804G C0G

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vorrätig

2000+

$0.32

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Spezifikation

Artikelnummer

HERAF804G C0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 300V 8A ITO220AC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HERAF804G C0G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

300V
Supplier Device-Gehäuse

ITO-220AC
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

50ns
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-2 Full Pack
Andere Namen

HERAF804G C0G-ND
HERAF804GC0G
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 300V 8A Through Hole ITO-220AC
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 300V
Strom - Richt (Io)

8A
Kapazität @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "HERAF804G C0G" -Einziper.

HERAF1008G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 10A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

HERAF804G C0G

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