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ES3JB R5G

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Spezifikation

Artikelnummer

ES3JB R5G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ES3JB R5G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

DO-214AA (SMB)
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

35ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-214AA, SMB
Andere Namen

ES3JB R5GTR
ES3JB R5GTR-ND
ES3JBR5GTR
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

3A
Kapazität @ Vr, F

34pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES3JB R5G" -Einziper.

ES3J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

ES3JB R5G

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