BZT55B5V1 L1G

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Spezifikation

Artikelnummer

BZT55B5V1 L1G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 5.1V 500MW MINI MELF
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BZT55B5V1 L1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

5.1V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 10mA
Toleranz

±2%
Supplier Device-Gehäuse

Mini MELF
Serie

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Andere Namen

BZT55B5V1 L1G-ND
BZT55B5V1L1G
Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

35 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount Mini MELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

100nA @ 1V

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Das Folgende sind "BZT55B5V1 L1G" -Einziper.

BZT55B62-GS08

Beschreibung: DIODE ZENER 62V 500MW SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

BZT55B5V1 L1G

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