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13285163A60 R0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

3A60 R0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    3A60 R0G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AC (DO-15)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Andere Namen
    3A60 R0G-ND
    3A60R0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    27pF @ 4V, 1MHz
RL107-N-0-4-AP

RL107-N-0-4-AP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-405

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
MURD550PFT4G

MURD550PFT4G

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
1SR153-400T-31

1SR153-400T-31

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UF1AHA0G

UF1AHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
3A60 B0G

3A60 B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5402-T

1N5402-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
EM01AV0

EM01AV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
3A60HA0G

3A60HA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
3A60HB0G

3A60HB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
3A60HR0G

3A60HR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SB2K-M3/52T

SB2K-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SB2H100-E3/54

SB2H100-E3/54

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
3A625

3A625

Beschreibung: BALUN 2.3GHZ-2.7GHZ 50/50 3SMD

Hersteller: Anaren
vorrätig
SF47GHA0G

SF47GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 4A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HSM5100JE3/TR13

HSM5100JE3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
NSF8GT-E3/45

NSF8GT-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GP10JHM3/73

GP10JHM3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
VS-MURB820PBF

VS-MURB820PBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SFF2008GHC0G

SFF2008GHC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
3A60 A0G

3A60 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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