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1T6G R0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1T6G R0G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1T6G R0G-ND
    1T6GR0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
VS-6FL20S02

VS-6FL20S02

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A DO203AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
SL44-E3/9AT

SL44-E3/9AT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N1615R

1N1615R

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
DPG30I300HA

DPG30I300HA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 30A TO247

Hersteller: IXYS
vorrätig
1T6G A0G

1T6G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
STPS3H100AF

STPS3H100AF

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
SB3H100HE3/54

SB3H100HE3/54

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RM 10BV

RM 10BV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
1T6G A1G

1T6G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4594

1N4594

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
BAS116L2-TP

BAS116L2-TP

Beschreibung: 215MA,85V,SWITCHING,DFN1006-2C P

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SB007-03C-TB-E

SB007-03C-TB-E

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 70MA 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
PMEG100V080ELPDZ

PMEG100V080ELPDZ

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
SRAS890 MNG

SRAS890 MNG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 8A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1PS10SB82,315

1PS10SB82,315

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia
vorrätig
VS-ETH1506SHM3

VS-ETH1506SHM3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYC8X-600,127

BYC8X-600,127

Beschreibung:

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
SB040/54

SB040/54

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 600MA MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SS24S-E3/5AT

SS24S-E3/5AT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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