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5104630GP2S24-Bild.Sharp Microelectronics

GP2S24

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GP2S24
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    35V
  • Serie
    -
  • Abtastmethode
    Reflective
  • Abtastabstand
    0.031" (0.8mm)
  • Reaktionszeit
    20µs, 20µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    PCB Mount
  • Ausgabetyp
    Phototransistor
  • Andere Namen
    425-1093-5
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Reflective Optical Sensor 0.031" (0.8mm) PCB Mount
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    20mA
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2S27T

GP2S27T

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2S27TJ000F

GP2S27TJ000F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM SMD

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2S27T3J00F

GP2S27T3J00F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP2S27T6J00F

GP2S27T6J00F

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig

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