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GP1L57

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GP1L57
  • Hersteller / Marke
    Sharp Microelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    GP1L57.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    35V
  • Art
    Unamplified
  • Serie
    -
  • Abtastmethode
    Transmissive
  • Abtastabstand
    0.394" (10mm)
  • Reaktionszeit
    130µs, 100µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    PCB Mount
  • Ausgangskonfiguration
    Photodarlington
  • Andere Namen
    425-1036-5
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Optical Sensor Transmissive 0.394" (10mm) Photodarlington PCB Mount
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    40mA

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Das Folgende sind "GP1L57" -Einziper.
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1FSV31TK0F

GP1FSV31TK0F

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Beschreibung: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1FSB31TK0F

GP1FSB31TK0F

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Beschreibung: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1FSB31TKMF

GP1FSB31TKMF

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ

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