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S6M

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S6M
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 2A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    23pF @ 5V, 1MHz
HSM825G/TR13

HSM825G/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 25V 8A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
6A20GHA0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
IDV15E65D2XKSA1

IDV15E65D2XKSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
CDBMTS130-HF

CDBMTS130-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123S

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
MBR8080R

MBR8080R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 80V DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
ESH2CA M2G

ESH2CA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
C3D02065E-TR

C3D02065E-TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO252-2

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
S6M

S6M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RS2A-E3/52T

RS2A-E3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FR12DR02

FR12DR02

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
NRVBS230LT3G

NRVBS230LT3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 2A 30V SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FS8G

FS8G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO277-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RB400VAM-50TR

RB400VAM-50TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 500MA TUMD2M

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
S6MR

S6MR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
P300J-E3/73

P300J-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FR302G R0G

FR302G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
ES1GRX

ES1GRX

Beschreibung: ES1GR SOD123 SOD2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RS1PB-M3/84A

RS1PB-M3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
ES3G-M3/57T

ES3G-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S1KL MHG

S1KL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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