Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S3HVM10
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
6634064

S3HVM10

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
25+
$137.424
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    S3HVM10
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 10KV 1.2A MODULE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2A
  • Spannung - Durchschlag
    -
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    Module
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    2.5µs
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S3HVM10
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 10000V (10kV) 1.2A Chassis, Stud Mount
  • Diodenkonfiguration
    1µA @ 10000V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 10KV 1.2A MODULE
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    11.5V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    10000V (10kV)
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C
S3HVM2.5

S3HVM2.5

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 3A MODULE

Hersteller: Semtech Corporation
vorrätig
BYM12-400HE3_A/I

BYM12-400HE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
CURN104-HF

CURN104-HF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A 1206

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1SS427,L3M

1SS427,L3M

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
1N4003GPE-E3/54

1N4003GPE-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S3HVM7.5

S3HVM7.5

Beschreibung: DIODE GEN PURP 7.5KV 1.5A MODULE

Hersteller: Semtech Corporation
vorrätig
JANTX1N7043CAT1

JANTX1N7043CAT1

Beschreibung: SCHOTTKY DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
SFAF507GHC0G

SFAF507GHC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
MA2J7320GL

MA2J7320GL

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SMINI2

Hersteller: Panasonic
vorrätig
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
S3HVM5F

S3HVM5F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 5KV 2.4A MODULE

Hersteller: Semtech Corporation
vorrätig
VS-30APF04PBF

VS-30APF04PBF

Beschreibung: DIODE SOFT FAST 30A TO-247

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
S3HVM2.5F

S3HVM2.5F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 3A MODULE

Hersteller: Semtech Corporation
vorrätig
S3HVM5

S3HVM5

Beschreibung: DIODE GEN PURP 5KV 2.4A MODULE

Hersteller: Semtech Corporation
vorrätig
15ETH06

15ETH06

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
EGP20D

EGP20D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SRA2090HC0G

SRA2090HC0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 20A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
VS-MBRD320PBF

VS-MBRD320PBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N1201B

1N1201B

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
STTH4R02RL

STTH4R02RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden