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1N6117US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6117US
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 22.8V 43.6V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    22.8V (Max)
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    43.6V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    27V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF
  • Andere Namen
    1N6117USS
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    11.5A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose
1N6117

1N6117

Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N6119A

1N6119A

Beschreibung: TVS DIODE 27.4V 49.9V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6118US

1N6118US

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 47.9V

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6118AUS

1N6118AUS

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 45.7V

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6119

1N6119

Beschreibung: TVS DIODE 27.4V 52.3V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6116AUS

1N6116AUS

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6117A

1N6117A

Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N6117A

1N6117A

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6118A

1N6118A

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 45.7V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6117

1N6117

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.6V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6117AUS

1N6117AUS

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6118A

1N6118A

Beschreibung: TVS DIODE 25.1VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N6118

1N6118

Beschreibung: TVS DIODE 25.1VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N6116US

1N6116US

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6116US

1N6116US

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 39.2V

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6117AUS

1N6117AUS

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6118

1N6118

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 47.9V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N6117US

1N6117US

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6118US

1N6118US

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 47.99V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N6118AUS

1N6118AUS

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 45.7V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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