Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > FMY-1036S
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
6217783FMY-1036S-Bild.Sanken Electric Co., Ltd.

FMY-1036S

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    FMY-1036S
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A TO220F-2L
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei durch Freistellung / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220F-2L
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    200ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2 Full Pack
  • Andere Namen
    FMY-1036S DK
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free by exemption / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole TO-220F-2L
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
VS-8EWF06S-M3

VS-8EWF06S-M3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FMY-1106S

FMY-1106S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
UG1004-T

UG1004-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SS25LHMQG

SS25LHMQG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAQ133-GS08

BAQ133-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S5B-E3/57T

S5B-E3/57T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-60APF02PBF

VS-60APF02PBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FMY1AT148

FMY1AT148

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
FMY6T148

FMY6T148

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 32V 0.05A 5SMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
UF5407-E3/54

UF5407-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RGP10BHM3/54

RGP10BHM3/54

Beschreibung: DIODE SW 1A 100V 150NS DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
FMY5T148

FMY5T148

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 120V 0.05A 5SMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
FFSH20120A-F085

FFSH20120A-F085

Beschreibung: 1200V 20A AUTO SIC SBD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FMY4AT148

FMY4AT148

Beschreibung: TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RB168VYM150FHTR

RB168VYM150FHTR

Beschreibung: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
S3DB

S3DB

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NSR10F20NXT5G

NSR10F20NXT5G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RB521AS-30T2R

RB521AS-30T2R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA VML2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SK33BHR5G

SK33BHR5G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
VS-50WQ03FNTRR-M3

VS-50WQ03FNTRR-M3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden