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2SK3801

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK3801
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V TO-3P
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 35A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    100W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Andere Namen
    2SK3801 DK
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5100pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 70A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    70A (Ta)
2SK3816-DL-1E

2SK3816-DL-1E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3796-4-TL-E

2SK3796-4-TL-E

Beschreibung: JFET N-CH 10MA 100MW SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3816-DL-E

2SK3816-DL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3796-2-TL-E

2SK3796-2-TL-E

Beschreibung: JFET N-CH 10MA 100MW SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3796-3-TL-E

2SK3796-3-TL-E

Beschreibung: JFET N-CH 10MA 100MW SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3756(TE12L,F)

2SK3756(TE12L,F)

Beschreibung: MOSFET N-CH PW-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3814(0)-Z-E1-AZ

2SK3814(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3816-DL-1EX

2SK3816-DL-1EX

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3748-1E

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Beschreibung: MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2SK3800VR

2SK3800VR

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V TO-220S

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
2SK3755-AZ

2SK3755-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3800

2SK3800

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V TO-220S

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
2SK3793-AZ

2SK3793-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3811-ZP-E1-AY

2SK3811-ZP-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3813-Z-E1-AZ

2SK3813-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3814(0)-Z-E2-AZ

2SK3814(0)-Z-E2-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3814(01)-Z-E1-AZ

2SK3814(01)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3813-AZ

2SK3813-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3800VL

2SK3800VL

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V TO-220S

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
2SK3813(0)-Z-E1-AZ

2SK3813(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
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