STY100NS20FD

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Spezifikation

Artikelnummer

STY100NS20FD
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STY100NS20FD.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

MAX247™
Serie

MESH OVERLAY™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

450W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

497-5321-5
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 100A (Tc) 450W (Tc) Through Hole MAX247™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "STY100NS20FD" -Einziper.

STY130NF20D

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 130A MAX247

Hersteller: STMicroelectronics

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