STW80NF55-08

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Spezifikation

Artikelnummer

STW80NF55-08
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 80A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STW80NF55-08.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247-3
Serie

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "STW80NF55-08" -Einziper.

STW7N95K3

Beschreibung: MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics

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