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1331701STW42N60M2-EP-Bild.STMicroelectronics

STW42N60M2-EP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STW42N60M2-EP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.75V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Serie
    MDmesh™ M2-EP
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    87 mOhm @ 17A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    250W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Andere Namen
    497-15883-5
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2370pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    34A (Tc)
LMC7221AIM

LMC7221AIM

Beschreibung: IC COMP TINY R-R CMOS 8-SOIC

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
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