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STT818B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STT818B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP 30V 3A SOT23-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    30V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 20mA, 2A
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-6
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    1.2W
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6
  • Andere Namen
    497-6589-6
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    38 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 3A 1.2W Surface Mount SOT-23-6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 500mA, 1V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    3A
  • Basisteilenummer
    STT818B
STT7P2UH7

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6

Hersteller: STMicroelectronics
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STT800N16P55XPSA1

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vorrätig
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Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
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Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
STTA1512PIRG

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Hersteller: STMicroelectronics
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STTA1206G

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STT4P3LLH6

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Hersteller: STMicroelectronics
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STTA2006PI

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A DOP3I

Hersteller: STMicroelectronics
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STTA1206G-TR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
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STT6N3LLH6

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Beschreibung:

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6

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STT3PF30L

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STT3PF20V

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6

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STT5N2VH5

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6

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STTA112U

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SMB

Hersteller: STMicroelectronics
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STTA2006P

STTA2006P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A SOD93-2

Hersteller: STMicroelectronics
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