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STS1DNF20

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STS1DNF20
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    -
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Leistung - max
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    -
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    -
  • FET-Merkmal
    -
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -
SI7020-A20-GM1

SI7020-A20-GM1

Beschreibung: SENS HUMI/TEMP 3.6V I2C 4% 6DFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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