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166623STPSC1006G-TR-Bild.STMicroelectronics

STPSC1006G-TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STPSC1006G-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    10A
  • Spannung - Durchschlag
    D²PAK
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    650pF @ 0V, 1MHz
  • Polarisation
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    497-11209-2
    STPSC1006GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    0ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    STPSC1006G-TR
  • Expanded Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK
  • Diodenkonfiguration
    150µA @ 600V
  • Beschreibung
    DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.7V @ 10A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    600V
  • Kapazität @ Vr, F
    -40°C ~ 175°C
STPSC10065D

STPSC10065D

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STPSC10H065D

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STPSC10H065DY

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STPSC10065DY

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STPSA42-AP

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STPSC1006D

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