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STP40N65M2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STP40N65M2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 650V 32A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    MDmesh™ M2
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 16A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    250W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    497-15561-5
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2355pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    650V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 650V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    32A (Tc)
M39003/09-0072H

M39003/09-0072H

Beschreibung: CAP TANT 8.2UF 10% 50V AXIAL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
WYO332MCMBF0KR

WYO332MCMBF0KR

Beschreibung: CAP CER 3300PF 440VAC Y5U RADIAL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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