STP35N60M2-EP

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Spezifikation

Artikelnummer

STP35N60M2-EP
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

-
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

MDmesh™ M2-EP
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Verlustleistung (max)

-
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "STP35N60M2-EP" -Einziper.

STP33N65M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 24A TO220

Hersteller: STMicroelectronics

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