STP190N55LF3

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Spezifikation

Artikelnummer

STP190N55LF3
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STP190N55LF3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±18V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220-3
Serie

STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

312W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

497-8810-5
STP190N55LF3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Das Folgende sind "STP190N55LF3" -Einziper.

STP200NF03

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

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