Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > STP16NS25
Online-Anfrage
Deutsch
5497794STP16NS25-Bild.STMicroelectronics

STP16NS25

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1000+
$1.084
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    STP16NS25
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 250V 16A TO-220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AB
  • Serie
    MESH OVERLAY™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280 mOhm @ 8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    140W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    497-3183-5
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1270pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    83nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    250V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 250V 16A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    16A (Tc)
5SGXEA4K1F35C2LN

5SGXEA4K1F35C2LN

Beschreibung: IC FPGA 432 I/O 1152FBGA

Hersteller: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden