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5291539STLD200N4F6AG-Bild.STMicroelectronics

STLD200N4F6AG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STLD200N4F6AG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerFlat™ (5x6) Dual Side
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 mOhm @ 75A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    158W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerWDFN
  • Andere Namen
    497-17148-2
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    38 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10700pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    172nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) Dual Side
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    120A (Tc)
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