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5639742STL90N10F7-Bild.STMicroelectronics

STL90N10F7

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  • Artikelnummer
    STL90N10F7
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerFlat™ (5x6)
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    5W (Ta), 100W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Andere Namen
    497-13969-2
    STL90N10F7-ND
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    38 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3550pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 70A (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    70A (Tc)
STL9N3LLH5

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT

Hersteller: STMicroelectronics
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STL9N60M2

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STL90

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STL9P3LLH6

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Beschreibung:

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STL92N10F7AG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT

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STL90N6F7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT

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Beschreibung: MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT

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STL8N65M2

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Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8

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Hersteller: STMicroelectronics
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STL8N6LF3

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STL8P2UH7

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STL9P2UH7

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT

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