STL285N4F7AG

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Spezifikation

Artikelnummer

STL285N4F7AG
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerFlat™ (5x6)
Serie

STripFET™ F7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (max)

188W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Das Folgende sind "STL285N4F7AG" -Einziper.

STL25N15F4

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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