STL160N3LLH6

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Spezifikation

Artikelnummer

STL160N3LLH6
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STL160N3LLH6.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerFlat™ (5x6)
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max)

136W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

497-11204-1
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6375pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61.5nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 160A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

160A (Tc)

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Das Folgende sind "STL160N3LLH6" -Einziper.

STL15N3LLH5

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT

Hersteller: STMicroelectronics

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STL160N3LLH6

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