STI175N4F6AG

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Spezifikation

Artikelnummer

STI175N4F6AG
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK (TO-262)
Serie

STripFET™ F6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)

190W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7735pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Das Folgende sind "STI175N4F6AG" -Einziper.

STI15NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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