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1572561STH3N150-2-Bild.STMicroelectronics

STH3N150-2

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    STH3N150-2
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    H²PAK
  • Serie
    PowerMESH™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    140W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
  • Andere Namen
    497-13876-1
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    939pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount H²PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Tc)
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