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976410STH240N10F7-2-Bild.STMicroelectronics

STH240N10F7-2

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    STH240N10F7-2
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    H2Pak-2
  • Serie
    STripFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 60A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    497-15143-6
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    38 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    11550pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    180A (Tc)
STH240N75F3-6

STH240N75F3-6

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
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STH250N6F3-6

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STH210N75F6-2

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STH170N8F7-2

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STH240N10F7-6

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Beschreibung:

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STH260N6F6-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK

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STH180N10F3-6

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK

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STH265N6F6-6AG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

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STH260N6F6-6

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STH245N75F3-6

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STH175N4F6-2AG

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STH2

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STH185N10F3-6

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STH180N4F6-2

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STH185N10F3-2

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STH250N55F3-6

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STH240N75F3-2

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STH180N10F3-2

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