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2540491STF120NF10-Bild.STMicroelectronics

STF120NF10

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STF120NF10
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 41A TO-220FP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FP
  • Serie
    STripFET™ II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 60A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    45W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    497-12567-5
    STF120NF10-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5200pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    233nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 41A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    41A (Tc)
XC2V2000-6FFG896C

XC2V2000-6FFG896C

Beschreibung: IC FPGA 624 I/O 896FCBGA

Hersteller: Xilinx
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