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4774344STF10P6F6-Bild.STMicroelectronics

STF10P6F6

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    STF10P6F6
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FP
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VI
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160 mOhm @ 5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    20W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    497-13831-5
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    38 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    340pF @ 48V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 60V 10A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Tc)
STF11N65M5

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Beschreibung: MOSFET N CH 650V 9A TO-220FP

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STF10NM50N

STF10NM50N

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7.0A TO220FP

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STF10N60M2

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STF11NM50N

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP

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STF11N52K3

STF11N52K3

Beschreibung: MOSFET N-CH 525V 10A TO-220FP

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STF11N65K3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP

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STF11N60DM2

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STF110N10F7

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO-220FP

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STF10NM60N

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STF10N95K5

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STF11N60M2-EP

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP

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STF11N50M2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP

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STF10NM60ND

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FP

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STF11N65M2

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STF10NK50Z

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP

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STF10NM65N

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP

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STF10N80K5

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STF11NM60N

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP

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STF10N62K3

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STF10N65K3

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