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6423930STD3NK80Z-1-Bild.STMicroelectronics

STD3NK80Z-1

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  • Artikelnummer
    STD3NK80Z-1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I-PAK
  • Serie
    SuperMESH™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    70W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Andere Namen
    497-12557-5
    STD3NK80Z-1-ND
    STD3NK80Z1
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    485pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 2.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Tc)
STD3N65M6

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
STD40NF03LT4

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STD3N95K5AG

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STD3NK90ZT4

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STD3NK60ZT4

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