STD110NH02LT4

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Spezifikation

Artikelnummer

STD110NH02LT4
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STD110NH02LT4.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4450pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

24V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 24V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "STD110NH02LT4" -Einziper.

STD11N60DM2

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics

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