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5652949STB9NK80Z-Bild.STMicroelectronics

STB9NK80Z

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  • Artikelnummer
    STB9NK80Z
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    125W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    497-13936-2
    STB9NK80Z-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    38 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1138pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.2A (Tc)
STBB2JAD-R

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Beschreibung: IC REG BUCK BST ADJ 0.8A 20BUMP

Hersteller: STMicroelectronics
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STBB2J30-R

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STB8NM60T4

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STB9NK90Z

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STB9NK60ZT4

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STB9NK70Z-1

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STB8NM60N

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STB9NK60ZDT4

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STB95N3LLH6

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STBB3NJR

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STB8NM60D

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