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3255380STB20N65M5-Bild.STMicroelectronics

STB20N65M5

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    STB20N65M5
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Serie
    MDmesh™ V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    130W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    497-13639-1
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1434pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    650V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 650V 18A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    18A (Tc)
SL28748ELIT

SL28748ELIT

Beschreibung: IC CLOCK CALPELLA CK505 32QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig

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