STB16NK65Z-S

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Spezifikation

Artikelnummer

STB16NK65Z-S
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STB16NK65Z-S.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK
Serie

SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max)

190W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

497-4098-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2750pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

89nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 13A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13A (Tc)

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Das Folgende sind "STB16NK65Z-S" -Einziper.

STB15NK50ZT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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