STB12NM60N-1

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Spezifikation

Artikelnummer

STB12NM60N-1
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STB12NM60N-1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK
Serie

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

410 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

90W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Tc)

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STB13N60M2

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics

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