Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > SGSD100
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
2014151SGSD100-Bild.STMicroelectronics

SGSD100

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
600+
$1.917
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SGSD100
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN DARL 80V 25A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    80V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    3.5V @ 80mA, 20A
  • Transistor-Typ
    NPN - Darlington
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247-3
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    130W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Andere Namen
    497-6727-5
    SGSD100-ND
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    500 @ 10A, 3V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    25A
SGS10N60RUFDTU

SGS10N60RUFDTU

Beschreibung: IGBT 600V 16A 55W TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SGS10N60RUFTU

SGS10N60RUFTU

Beschreibung: IGBT 600V 16A 55W TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BSP62,115

BSP62,115

Beschreibung: TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223

Hersteller: Nexperia
vorrätig
SGS5N60RUFDTU

SGS5N60RUFDTU

Beschreibung: IGBT 600V 8A 35W TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BC847CWH6327XTSA1

BC847CWH6327XTSA1

Beschreibung: TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
2SB1241TV2Q

2SB1241TV2Q

Beschreibung: TRANS PNP 80V 1A ATV

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
SGS6N60UFDTU

SGS6N60UFDTU

Beschreibung: IGBT 600V 6A 22W TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SGS6N60UFTU

SGS6N60UFTU

Beschreibung: IGBT 600V 6A 22W TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
2N2221AL

2N2221AL

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.8A TO18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
2SD2641

2SD2641

Beschreibung: TRANS NPN DARL 110V 6A TO3P

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
KST5401MTF

KST5401MTF

Beschreibung: TRANS PNP 150V 0.5A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SGS5N150UFTU

SGS5N150UFTU

Beschreibung: IGBT 1500V 10A 50W TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
KSA1203OTF

KSA1203OTF

Beschreibung: TRANS PNP 30V 1.5A SOT-89

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
KSP56TF

KSP56TF

Beschreibung: TRANS PNP 80V 0.5A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMBT3904T

MMBT3904T

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SGS13N60UFDTU

SGS13N60UFDTU

Beschreibung: IGBT 600V 13A 45W TO220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
JANTX2N2605

JANTX2N2605

Beschreibung: TRANS PNP 60V 0.03A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
BC546TA

BC546TA

Beschreibung: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SGS23N60UFDTU

SGS23N60UFDTU

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SGSD200

SGSD200

Beschreibung: TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden