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M59DR032EA10ZB6T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    M59DR032EA10ZB6T
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    100ns
  • Spannungsversorgung
    1.65 V ~ 2.2 V
  • Technologie
    FLASH - NOR
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TFBGA (7x12)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    48-LFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    32Mb (2M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NOR Memory IC 32Mb (2M x 16) Parallel 100ns 48-TFBGA (7x12)
  • Basisteilenummer
    M59DR032E
  • Zugriffszeit
    100ns
MTFC128GAJAECE-IT TR

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M59DR032EA10ZB6

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71V65603S150PFGI8

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Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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